器件在 PowerPAK® 1212‑8S 封装中提供低至 0.95 mΩ 的 RDS(ON) 和 29.8 mΩ *nC 的改进 FOM
宾夕法尼亚，MALVERN。 - 2021年5月24日- Vishay公司（NYSE：VSH）推出一种多功能的新30 V n沟道TrenchFET ®，提供增加的功率密度和效率为代V的功率MOSFET两者中分离和非隔离拓扑。Vishay Siliconix SiSS52DN采用 3.3 mm x 3.3 mm 耐热增强型 PowerPAK ® 1212-8S 封装，在 10 V 时具有0.95 m Ω 的同类最佳导通电阻，比上一代产品提高了 5%。此外，该器件在 4.5 V 时提供 1.5 m Ω 的 导通电阻，而其 29.8 m Ω*nC 导通电阻乘以 4.5 V 的栅极电荷（开关应用中使用的 MOSFET 的关键品质因数 (FOM)）是市场上最低的之一。
SiSS52DN 的 FOM 比上一代设备提高了 29%，这转化为降低的传导和开关损耗，从而在功率转换应用中节省能源。
SiSS52DN 非常适用于同步整流的低侧开关、同步降压转换器、DC/DC 转换器、开关槽拓扑、OR 环 FET 以及服务器、电信和射频设备中的电源负载开关。通过在隔离和非隔离拓扑中提供高性能，MOSFET 简化了设计人员对这两种拓扑的部件选择。
该设备经过 100% R G和 UIS 测试，符合 RoHS 标准且不含卤素。
SiSS52DN 的样品和量产数量现已上市，交货时间为 12 周。
Vishay 制造了世界上最大的分立半导体和无源电子元件产品组合之一，这些产品对汽车、工业、计算、消费、电信、军事、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。Vishay 为全球客户提供服务，是技术的 DNA。TM Vishay Intertechnology, Inc. 是一家在纽约证券交易所 (VSH) 上市的财富 1,000 强公司。
来源：https://www.vishay.com/
